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트랜지스터 - IGBT - 모듈
/ Microsemi Corporation APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
Obsolete
트랜지스터 - IGBT - 모듈
설명:
IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
제조사:
Microsemi Corporation
데이터시트:
APTGT75DA170D1G 데이터시트
가격 이력: Obsolete
재고 있음: 5840
유통업체
상세 사양
PDF 데이터시트
대체품
부품 번호
제조사
담당자
회사 이메일
요청 수량
국가 / 지역
요청 제출
APTGT75DA170D1G vs APTGT50DA170TG
Mfr. Part
APTGT75DA170D1G
APTGT50DA170TG
카테고리
트랜지스터 - IGBT - 모듈
트랜지스터 - IGBT - 모듈
제조사
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
시리즈
-
-
포장
Bulk
Bulk
상태
Obsolete
Obsolete
IGBT 유형
Trench Field Stop
Trench Field Stop
구성
Single
Single
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
1700 V
1700 V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
120 A
75 A
전력 - 최대
520 W
312 W
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 75A
2.4V @ 15V, 50A
전류 - 컬렉터 차단(최대)
5 mA
250 μA
입력 정전 용량 (Cies) @ Vce
6.5 nF @ 25 V
4.4 nF @ 25 V
입력
Standard
Standard
NTC 서미스터
No
Yes
작동 온도
-
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
실장 유형
Chassis Mount
Chassis Mount
패키지/케이스
D1
SP4
공급업체 장치 패키지
D1
SP4
